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K7A803208B-QI25

产品描述Cache SRAM, 256KX32, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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文件大小475KB,共18页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7A803208B-QI25概述

Cache SRAM, 256KX32, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

K7A803208B-QI25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1932326842
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
YTEOL0
最长访问时间2.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)250 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量100
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.06 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.47 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm

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K7A803608B
K7A803208B
K7A801808B
Document Title
256Kx36/x32 & 512Kx18 Synchronous SRAM
256Kx36 & 256Kx32 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM
Revision History
Rev. No.
0.0
0.1
0.2
1.0
History
Initial draft
1. Delete pass- through
1. Add x32 org part and industrial temperature part
1. Final spec release
2. Change I
SB2
form 50mA to 60mA
Draft Date
May. 18 . 2001
June. 26. 2001
Aug. 11. 2001
Nov. 16. 2001
Remark
Preliminary
Preliminary
Preliminary
Final
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.
-1-
Nov 2001
Rev 1.0
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