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JANJ2N2857UB

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERSOT-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JANJ2N2857UB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERSOT-3

JANJ2N2857UB规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.04 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDSO-N3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/343
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Data Sheet No. 2N2857UB
Type 2N2857UB
Geometry
0011
Polarity NPN
Qual Level: JAN - JANS
Features:
Low power, ultra-high frequency
transistor.
Housed in a
cersot
case.
Also available in chip form using
the
0011
chip geometry.
The Min and Max limits shown are
per
MIL-PRF-19500/343
which
Semicoa meets in all cases.
Generic Part Number:
2N2857
REF: MIL-PRF-19500/343
Cersot
Maximum Ratings
T
C
= 25
o
C unless otherwise specified
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
STG
Rating
15
30
3.0
40
-65 to +200
-65 to +200
Unit
V
V
V
mA
o
C
C
o

JANJ2N2857UB相似产品对比

JANJ2N2857UB
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERSOT-3
零件包装代码 SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.04 A
集电极-发射极最大电压 15 V
配置 SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDSO-N3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/343
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
晶体管元件材料 SILICON
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