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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FHRA114
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FHRA114

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小90KB，共1页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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FHRA114概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FHRA114规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTORS
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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Resistive Transistors
PNP Silicon (FHRA110½FHRA114)
SOT-23
DESCRIPTION & FEATURES
概述及特點
With Built-in Bias Resistors
內部基極帶阻
Simplify Circuit Design
簡單的回路設計
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process
簡化了外部元件及貼片過程
PIN ASSIGNMENT
引腳說明
PIN NAME PIN NUMBER
引腳序號
FUNCTION
管腳符號
功½
SOT-23
B
1
Base
E
2
Emitter
C
3
Collector
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
Symbol
符號
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Rating
額定值
-50
-50
-5.0
-100
200
150
-55½150
FHRA114
PP
Unit
單½
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW
℃
℃
Collector Current –Continuous
集電極連續電流
I
C
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
P
C
Junction Temperature
結溫
T
J
Storage Temperature Range
儲存溫度
T
STG
DEVICE MARKING
打標
FHRA110
FHRA111
FHRA112
FHRA113
TYPE
型號
MARK
打標
PK
PM
PN
PO
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度為
25℃)
Characteristic
特性參數
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
Collector Cutoff Current
發射極截止電流
DC Current Gain
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極½和壓降
Transition Frequency
特徵頻率
FHRA110
FHRA111
Input Resistance
FHRA112
輸入電阻
FHRA113
FHRA114
Symbol
符號
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
Test Condition
測試條件
V
CB
=-50V,
I
E
=-0
V
EB
=-5V,
I
C
=-0
V
CE
=-5V,
I
C
=-1mA
I
C
=-10 mA
I
B
=-0.5 mA
V
CE
=-10V,
I
C
=-5mA
Min
最小
值
-
-
120
-
-
3.29
7
70
15.4
32.9
Type
典型
值
-
-
-
-0.1
250
4.7
10
100
22
47
Max
最大
值
-100
-100
-
-0.3
-
6.11
13
130
28.6
61.1
Unit
單½
nA
nA
-
V
MHz
R1
kΩ
1

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 Fenghua (HK) Electronics Ltd Fenghua (HK) Electronics Ltd Fenghua (HK) Electronics Ltd Fenghua (HK) Electronics Ltd Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTORS BUILT-IN BIAS RESISTORS BUILT-IN BIAS RESISTORS BUILT-IN BIAS RESISTORS BUILT-IN BIAS RESISTORS
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 120 120 120 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 -

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