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电动汽车产生的电磁辐射对人体伤害大？近段时间，围绕电动汽车电磁辐射的问题引发广泛关注，然而，事实上，公众的认知大多是错误的，对电动汽车的电磁辐射缺乏正确的认知。9月30日，中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）副秘书长许艳华接受媒体专访，用真实的测试数据做出科学判断：电动汽车产生的电磁辐射对人体健康没有危害。 我们生活的环境中，可以说电磁辐射无所不在，电动汽车也不例外，甚至传统的燃油车也有电...[详细]

中国上海——2025年8月26日——莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商宣布，公司 将举办网络研讨会，探讨其基于屡获殊荣的Lattice Nexus™ FPGA产品系列的小型FPGA的最新扩展。 本次直播将对新推出的莱迪思Certus™-NX和莱迪思MachXO5™-NX FPGA器件进行深入的技术介绍，这些新拓展的器件提供了高I/O密度、低功耗和增强的安全功能。莱迪思专家还将介...[详细]

　　白光LED属于电压敏感型的器件，在实际工作中是以20mA的电流为上限，但往往会由于在使用中的各种原因而造成电流增大，如果不采取保护措施，这种增大的电流超过一定的时间和幅度后LED就会损坏。 　　造成LED损坏的原因主要有： 　　①供电电压的突然升高。 　　②线路中某个组件或印制线条或其他导线的短路而形成LED供电通路的局部短路，使这个地方的电压增高。 　　③某个LED因为自身的质量原因损...[详细]

随着智能电动汽车的快速普及，汽车芯片正从辅助控制单元，跃升为支撑整车智能化的“底座”。其应用范围从动力控制、底盘域、智能座舱、辅助驾驶域延展至整车中央计算平台，构建出一个高算力、高安全、高可靠的硬核体系。在全球芯片巨头如英伟达、高通、英飞凌等持续加码的同时，华为、比亚迪、地平线、黑芝麻智能等本土企业正快速崛起，推动国产替代加速落地。伴随整车架构向中央计算与域控制器转型，汽车芯片的产业链格局正被深...[详细]

8月27日，汽车测试及质量监控博览会(以下简称“ATE 2025”)即将拉开帷幕。罗德与施瓦茨（以下简称“R&S”）在本次展会上，围绕“智驭未来出行，臻测安全新境”主题，展示汽车测试相关六大解决方案，覆盖车外通信、车内网络、车外感知、以及整车验证等全测试场景。R&S旨在通过前沿、精准且高度可靠的测试解决方案，为智能网联汽车从研发到量产的每一环节提供强大的技术支撑，助力客户克服新技术挑战、提升安全...[详细]

8月18日，综合智能场内物流机器人专家凯乐士科技（Galaxis）以一场科技盛宴正式揭开新一代极窄巷道叉式移动机器人系列「VFR极窄系列」的神秘面纱。这场以“窄道破局 稳驭未来”为主题的发布会，不仅重新定义了自动化仓储的效率边界，更以突破性技术创新为行业树立了新的里程碑。 VFR系列产品包含CL、CS、CC等多个系列，具备极窄巷道适应能力，能够进行高效存取与精准定位，并且兼具全场景兼...[详细]

　　stm32作为现在嵌入式物联网单片机行业中经常要用多的技术，相信大家都有所接触，今天这篇就给大家详细的分析下有关于stm32的出口，还不是很清楚的朋友要注意看看了哦，在最后还会为大家分享有些关于stm32的视频资料便于学习参考。 　　什么是串口 　　UART : Universal Asynchronous Receiver/Transmitter 通用异步收发器 　　USART : Uni...[详细]

　　众所周知STM32有5个时钟源HSI、HSE、LSI、LSE、PLL，其实他只有四个，因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的。 　　其中，高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用，图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC。 　　内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的，起振较快，所以时钟在芯片刚上...[详细]

　　2014年6月，工信部向联通和电信颁发4G FD-LTE牌照，加上在此之前发放给移动、联通、电信的4G TD-LTE牌照，这意味着国内三大运营商全面进入4G商用化时代，同时各大手机制造商纷纷推出多模、多频的LTE手机和终端，目前国内LTE用户规模已 经达到5,000万。 　　相对于3G而言，4G LTE能够提供更大的信道容量，手机用户可以享用更高的数据下载速率，在FD-LTE 20MHz...[详细]

据外媒报道，Laird Thermal Systems公司推出HiTemp ET系列Peltier冷却器模块，可在高温下工作，为敏感电子器件提供现场冷却。 在智能汽车前照灯系统中，数字光处理（DLP）技术的应用越来越多。采用这种技术，可以使车前面的光线更加清晰明亮。汽车前照灯系统可在110°C的高温下工作，而DLP器件的最高工作温度只有70℃，超过温限可能会产生故障或导致运行停止。采用HiT...[详细]

是德科技将其电磁仿真器与新思科技的 AI 驱动射频设计迁移流程相结合，打造集成设计流程，助力从台积电 (TSMC) 的 N6RF+ 工艺技术迁移到 N4P 工艺技术。 该迁移工作流程基于晶圆代工厂的模拟设计迁移 (ADM) 方法，旨在简化无源器件和设计组件的重新设计，使其符合先进的射频工艺规则。 是德科技表示，该协作迁移工作流程充分利用了 N4P 工艺的性能提升，用于从 N6RF+ 迁移...[详细]

半桥是将DC转换为交流的逆变器拓扑之一。典型半桥电路由两个控制器组成开关，3线DC电源，两条反馈二极管以及连接负载和源极的两个电容器。控制开关可以是任意的电子开关即MOSFET，双极晶体管、IJBT或半导体闸流管等。 半桥逆变器是什么意思? 电路设计成两个开关不能同时接通&两个开关中只有一个会导通。每个开关将工作半个周期(T/2)，向负载提供施加电压的一半(V哥伦比亚特区/2).当两个开关都...[详细]

Plessey Semiconductors 已被 Haylo Labs 收购。Haylo Labs 成立于去年 3 月，由中国科技公司歌尔股份提供 1 亿美元五年期贷款。 Haylo Labs 五个月前由成立两年的风险投资基金 Haylo Ventures 创立。Haylo Ventures 表示：“我们认识到整合分散但前景广阔的 MicroLED 行业的必要性，因此成立了 Haylo L...[详细]

在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。 随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium...[详细]

串联逆变器和并联逆变器的区别在于使用不同的振荡电路。串联逆变器将L、R和c串联，并联逆变器将L、R和c并联。 串联逆变器与并联逆变电源有哪些区别 串联逆变器的负载电路具有低阻抗。需要电压源电源，大滤波电容器应并联在DC电源端子上。如果逆变器发生故障，由于浪涌电流大，很难提供保护。 并联逆变器的负载电路呈现高阻抗，需要电流源供电。大型电抗器应串联在DC电力终端。如果逆变器发生故障，很容易提...[详细]