BCR573-E6433概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BCR573-E6433规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	70
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.33 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz
Base Number Matches	1

	BCR573-E6433	BCR573-E6327
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	70	70
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.33 W	0.33 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz	150 MHz
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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