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CBR35-020P

产品描述SILICON BRIDGE RECTIFIER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小765KB,共7页
制造商Central Semiconductor
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CBR35-020P概述

SILICON BRIDGE RECTIFIER

CBR35-020P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC, CASE FP, 4 PIN
针数4
制造商包装代码CASE FP
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码S-PUFM-D4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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CBR35-010P SERIES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
35 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR35-010P series
devices are silicon, single phase, full wave bridge rectifiers
designed for general purpose applications. The molded
epoxy case has a built-in metal baseplate for heat sink
mounting. The device utilizes standard 0.25” FASTON
terminals.
MARKING: FULL PART NUMBER
CASE FP
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL -010P -020P
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
100
200
DC Blocking Voltage
VR
100
200
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TC=60°C)
Peak Forward Surge Current
I
2
t Rating for Fusing (1ms<t<8.3ms)
RMS Isolation Voltage (case to lead)
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
VF
CJ
VR(RMS)
IO
IFSM
I
2
t
Viso
TJ, Tstg
Θ
JC
70
140
CBR35
-040P -060P
400
600
400
280
35
400
660
2500
-65 to +150
1.4
600
420
-080P
800
800
560
-100P
1000
1000
700
UNITS
V
V
V
A
A
A
2
s
Vac
°C
°C/W
CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
TYP
MAX
VR=Rated VRRM
10
VR=Rated VRRM, TA=125°C
500
IF=17.5A
VR=4.0V, f=1.0MHz
1.2
300
UNITS
μA
μA
V
pF
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