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MMBFJ176

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共1页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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MMBFJ176概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET

MMBFJ176规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最大漏源导通电阻250 Ω
FET 技术JUNCTION
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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