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BAV103-GS08

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 250V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小48KB,共4页
制造商Telefunken Semiconductor GmbH & Co Kg
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BAV103-GS08概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 250V V(RRM),

BAV103-GS08规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid103093488
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
相数1
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.25 A
最大重复峰值反向电压250 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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BAV100...BAV103
Vishay Telefunken
Switching Diode
Features
D
Silicon Epitaxial Planar Diodes
Applications
General purposes
94 9371
Order Instruction
Type
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
Type Differentiation
V
RRM
= 60 V
V
RRM
= 120 V
V
RRM
= 200 V
V
RRM
= 250 V
Ordering Code
BAV100–GS08
BAV101–GS08
BAV102–GS08
BAV103 –GS08
Remarks
Tape and Reel
Tape and Reel
Tape and Reel
Tape and Reel
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Test Conditions
Type
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
Symbol
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
R
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
P
V
T
j
T
stg
Value
60
120
200
250
50
100
150
200
1
625
250
500
175
–65...+175
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
A
mA
mA
mW
°
C
°
C
Reverse voltage
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Forward current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
t
p
=1s
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction lead
Junction ambient
Test Conditions
on PC board 50 mmx50 mmx1.6 mm
Symbol
R
thJL
R
thJA
Value
350
500
Unit
K/W
K/W
Document Number 85542
Rev. 3, 14-Feb-01
www.vishay.com
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