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IRF840LCSTRRPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小448KB，共10页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRF840LCSTRRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

IRF840LCSTRRPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	SMALL OUTLINE, S-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	510 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	8 A
最大漏源导通电阻	0.85 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	28 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRF840LCSTRRPBF相似产品对比

	IRF840LCSTRRPBF	IRF840LCLPBF	IRF840LCSPBF	IRF840LCSTRLPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	SMALL OUTLINE, S-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, S-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, S-PSSO-G2
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant	compliant
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	510 mJ	510 mJ	510 mJ	510 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	8 A	8 A	8 A	8 A
最大漏源导通电阻	0.85 Ω	0.85 Ω	0.85 Ω	0.85 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PSSO-G2	R-PSIP-T3	S-PSSO-G2	S-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	3	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	28 A	28 A	28 A	28 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	YES	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	40	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	-

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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