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2N4900

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共1页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2N4900概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

2N4900规格参数

参数名称属性值
Objectid1404816969
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-66
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max0.6 V

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