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MA45229A-108

产品描述C BAND, 1.2pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, CERAMIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小150KB,共5页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
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MA45229A-108概述

C BAND, 1.2pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, CERAMIC PACKAGE-2

MA45229A-108规格参数

参数名称属性值
厂商名称TE Connectivity(泰科)
包装说明R-XDMW-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比3.2
标称二极管电容1.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带C BAND
JESD-30 代码R-XDMW-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROWAVE
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数4800
最大反向电流0.02 µA
反向测试电压24 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1
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