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HVC1206V1273FET

产品描述Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 127000ohm, 600V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, 1206
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小212KB,共2页
制造商Ohmite
官网地址https://www.ohmite.com
标准  
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HVC1206V1273FET概述

Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 127000ohm, 600V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, 1206

HVC1206V1273FET规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1181621395
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginGermany
ECCN代码EAR99
YTEOL7.8
构造Chip
JESD-609代码e3
端子数量2
最高工作温度155 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.4 mm
封装长度3.2 mm
封装形式SMT
封装宽度1.5 mm
包装方法TR
额定功率耗散 (P)0.25 W
电阻127000 Ω
电阻器类型FIXED RESISTOR
尺寸代码1206
技术METAL GLAZE/THICK FILM
温度系数50 ppm/°C
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
容差1%
工作电压600 V

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THICK FILM
SMD
hVc Series
Precision High-Value High-voltage Wraparound Chip
• High value chip resistors in thick film technology
• Low temperature and voltage dependency (low TCR and VCR)
• High working voltage up to 3000V
• Suitable for high vacuum applications—no organics
• Contact areas: Nickel-barrier/matte tin
• Wraparound terminals
S e r i e S S p e c i f i c at i o n S
HIGH
VOLTAGE
f e at u r e S
Series
HVC0805---
Type
0805
Wattage
1
P
70
(mW)
125
HVC1206---
1206
250
HVC2512---
2512
1000
Oper. Voltage (V)
Resistance
std. untrimmed (≥5%)
Range
200
600
100K-100M
>100M-1G
>1G-10G
>10G-100G
600
1000
100K-100M
>100M-1G
>1G-10G
>10G-100G
2000
3000
100K-100M
>100M-1G
>1G-10G
>10G-100G
Tolerance
0.5-10%
2-20%
5-20%
10-30%
0.5-10%
2-20%
5-20%
10-30%
0.5-10%
1-20%
2-20%
5-30%
TCR
2
(ppm)
25, 50, 100
50, 100, 250
100, 250
1000, 2000
25, 50, 100
50, 100, 250
100, 250
500, 1000
25, 50, 100
25, 50, 100
50, 100
250, 500
VCR
2
(ppm)
50
250
500
1000
50
100
250
1000
10
25
100
250
1. At continuous power dissipation the dimensions of the solder pads have to be capable of sufficient heat conduction.
2. Not all TCR/VCR combinations available in all resistance values
characteriSticS
Operating temperature
-55°C ~ +155°C
range
Climatic category
55/155/56, acc. to EN 60068-1
Solderability
250°C, 3s, acc. to EN 60068-2-58
Max. soldering temperature
260°C, 10s, acc. to IEC 68-2-58
Long Term Stability
<1G
Load Life 70°C/1000h <0.25%
Storage 125°C/1000h <0.5%
Max. Voltage/1000h
<0.5%
<10G
<0.5%
<1%
<1%
≥1G
<1%
<2%
<2%
Derating
100
Percent Rated Power
80
60
40
20
0
-55
0
50 70 100
Ambient Temperature,
°C
155
Data not specified according to EN 140401-802 (CECC 40401-802)
t e r m i n a l D e ta i l S
Base Metal
PtAg
Termination Finish
100% electroplated matte Sn100
Thickness of Finish
5 microns
Barrier Material between Base Metal and Finish
Porosity-free Ni (5-8 microns thickness)
Baking/Annealing Process after Sn Plating
150°C; > 4 hours
Peak Process Body Temperature (Classification
260°C for 10 seconds
Temperature) and Maximum Time
1
1600 Golf Rd., Rolling Meadows, IL 60008 • 1-866-9-OHMITE • Int’l 1-847-258-0300 • Fax 1-847-574-7522 • www.ohmite.com
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