Pseudo Static RAM, 512KX8, 120ns, MOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | TSOP |
包装说明 | TSOP2-R, TSOP32,.46 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 120 ns |
其他特性 | CE/AUTO/SELF REFRESH |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20.95 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | PSEUDO STATIC RAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2-R |
封装等效代码 | TSOP32,.46 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
反向引出线 | YES |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最小待机电流 | 3 V |
最大压摆率 | 0.075 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | MOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 10.16 mm |
Base Number Matches | 1 |
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