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A42L2604V-45UF

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24
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文件大小330KB,共25页
制造商AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
标准
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A42L2604V-45UF概述

EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24

A42L2604V-45UF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明TSOP2, TSOP24/26,.36
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间45 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G24
长度17.14 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP24/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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A42L2604 Series
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
Document Title
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
Revision History
Rev. No.
0.0
0.1
0.2
0.3
1.0
1.1
1.2
History
Initial issue
Modify symbol H
E
dimensions in TSOP 24L package information
Add -45 grade and modify the AC, DC data
Add -U type spec.
Modify DC data and all parts guarantee self-refresh mode
Final spec. release
Add Pb-Free order
Delete 24/26L Pb-Free SOJ package type in ordering information
Issue Date
June 13, 2001
July 10, 2001
November 30, 2001
June 10, 2002
June 18, 2003
April 23, 2004
October 18, 2004
Remark
Preliminary
Final
(October, 2004, Version 1.2)
AMIC Technology, Corp.

A42L2604V-45UF相似产品对比

A42L2604V-45UF A42L2604V-50UF A42L2604V-45F
描述 EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24 EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明 TSOP2, TSOP24/26,.36 TSOP, TSOP24/26,.36 TSOP2, TSOP24/26,.36
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 45 ns 50 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4
端子数量 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -
组织 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP TSOP2
封装等效代码 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048
自我刷新 YES YES YES
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.08 mA 0.075 mA 0.08 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1
访问模式 FAST PAGE - FAST PAGE
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
长度 17.14 mm - 17.14 mm
功能数量 1 - 1
端口数量 1 - 1
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
座面最大高度 1.2 mm - 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V - 3 V
宽度 7.62 mm - 7.62 mm
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