1-CH 8-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP20, CERDIP-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大模拟输入电压 | 2.5 V |
| 最小模拟输入电压 | -2.5 V |
| 最长转换时间 | 0.975 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.3906% |
| 湿度敏感等级 | NOT APPLICABLE |
| 模拟输入通道数量 | 1 |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出位码 | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, 8 BITS |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
| 认证状态 | MILITARY |
| 采样速率 | 1 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | TRACK |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |

| 5962-8951801RA | 5962-89518012A | |
|---|---|---|
| 描述 | 1-CH 8-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP20, CERDIP-20 | ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CQCC20, LCC-20 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | QLCC |
| 包装说明 | DIP, | QCCN, |
| 针数 | 20 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow |
| 最大模拟输入电压 | 2.5 V | 2.5 V |
| 最小模拟输入电压 | -2.5 V | -2.5 V |
| 最长转换时间 | 0.975 µs | 0.975 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 | e4 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.3906% | 0.3906% |
| 模拟输入通道数量 | 1 | 1 |
| 位数 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出位码 | BINARY | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, 8 BITS | PARALLEL, 8 BITS |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
| 认证状态 | MILITARY | Not Qualified |
| 采样速率 | 1 MHz | 1 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | TRACK | TRACK |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.54 mm |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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