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K4D263238E-VC22

产品描述DDR DRAM, 4MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144
产品类别存储    存储   
文件大小320KB,共18页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4D263238E-VC22概述

DDR DRAM, 4MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144

K4D263238E-VC22规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1125504843
包装说明LFBGA, BGA144,12X12,32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL0
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.55 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)450 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B144
长度12 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型GDDR1 DRAM
内存宽度32
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA144,12X12,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.4 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8,FP
最大待机电流0.12 A
最大压摆率1.29 mA
最大供电电压 (Vsup)2.94 V
最小供电电压 (Vsup)2.66 V
标称供电电压 (Vsup)2.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度12 mm
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