电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

PA28F400BVB60

产品描述4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
产品类别存储    存储   
文件大小652KB,共57页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
下载文档 详细参数 全文预览

PA28F400BVB60概述

4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY

PA28F400BVB60规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明1.110 X 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
针数44
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间110 ns
其他特性ALSO OPERATES WITH 4.5V-5.5V SUPPLY, BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询NO
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP44,.63
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3/5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
部门规模16K,8K,96K,128K
最大待机电流0.000008 A
最大压摆率0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
E
n
n
PRELIMINARY
4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)
SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH
MEMORY FAMILY
28F400BV-T/B, 28F400CV-T/B, 28F004BV-T/B
28F400CE-T/B, 28F004BE-T/B
Intel SmartVoltage Technology
5V or 12V Program/Erase
2.7V, 3.3V or 5V Read Operation
Increased Programming Throughput
at 12V V
PP
Very High-Performance Read
5V: 60/80/120 ns Max. Access Time,
30/40 ns Max. Output Enable Time
3V: 110/150/180 ns Max Access
65/90 ns Max. Output Enable Time
2.7V: 120 ns Max Access 65 ns Max.
Output Enable Time
Low Power Consumption
Max 60 mA Read Current at 5V
Max 30 mA Read Current at
2.7V–3.6V
x8/x16-Selectable Input/Output Bus
28F400 for High Performance 16- or
32-bit CPUs
x8-Only Input/Output Architecture
28F004B for Space-Constrained
8-bit Applications
Optimized Array Blocking Architecture
One 16-KB Protected Boot Block
Two 8-KB Parameter Blocks
One 96-KB Main Block
Three 128-KB Main Blocks
Top or Bottom Boot Locations
Absolute Hardware-Protection for Boot
Block
Software EEPROM Emulation with
Parameter Blocks
n
n
Extended Temperature Operation
–40°C to +85°C
Extended Cycling Capability
100,000 Block Erase Cycles
(Commercial Temperature)
10,000 Block Erase Cycles
(Extended Temperature)
Automated Word/Byte Program and
Block Erase
Industry-Standard Command User
Interface
Status Registers
Erase Suspend Capability
SRAM-Compatible Write Interface
Automatic Power Savings Feature
1 mA Typical I
CC
Active Current in
Static Operation
Reset/Deep Power-Down Input
0.2 µA I
CC
Typical
Provides Reset for Boot Operations
Hardware Data Protection Feature
Write Lockout during Power
Transitions
Industry-Standard Surface Mount
Packaging
40-Lead TSOP
44-Lead PSOP: JEDEC ROM
Compatible
48-Lead TSOP
56-Lead TSOP
Footprint Upgradeable from 2-Mbit and
to 8-Mbit Boot Block Flash Memories
ETOX™ IV Flash Technology
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
July 1997
Order Number: 290530-005

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1806  184  2714  2383  1558  37  4  55  48  32 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved