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258RT250

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 390000mA I(T), 2500V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小293KB,共3页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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258RT250概述

Silicon Controlled Rectifier, 390000mA I(T), 2500V V(DRM),

258RT250规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
JESD-30 代码O-MUPM-H3
最大漏电流80 mA
通态非重复峰值电流4600 A
端子数量3
最大通态电流390000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
断态重复峰值电压2500 V
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
触发设备类型SCR
Base Number Matches1
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