Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> 5962R9863901VPA

5962R9863901VPA: 产品描述5962R9863901VPA放大器基础信息： 5962R9863901VPA是来自Analog Devices Inc的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3 5962R9863901VPA放大器核心信息： 5962R9863901VPA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.125 µA他的最大平均偏置电流为0.125 µA 厂商给出的5962R9863901VPA的最大压摆率为4 mA，而最小压摆率为0.08 V/us。其最小电压增益为100000。 5962R9863901VPA的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。5962R9863901VPA的输入失调电压为400 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962R9863901VPA的宽度为：7.62 mm。 5962R9863901VPA的相关尺寸： 5962R9863901VPA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8 5962R9863901VPA放大器其他信息： 5962R9863901VPA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。5962R9863901VPA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。5962R9863901VPA不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962R9863901VPA的封装代码是：DIP。5962R9863901VPA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962R9863901VPA封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小75KB，共13页; 制造商ADI(亚德诺半导体); 官网地址https://www.analog.com; 器件替换：5962R9863901VPA替换放大器

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5962R9863901VPA概述

5962R9863901VPA放大器基础信息：

5962R9863901VPA是来自Analog Devices Inc的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

5962R9863901VPA放大器核心信息：

5962R9863901VPA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.125 µA他的最大平均偏置电流为0.125 µA

厂商给出的5962R9863901VPA的最大压摆率为4 mA，而最小压摆率为0.08 V/us。其最小电压增益为100000。

5962R9863901VPA的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。5962R9863901VPA的输入失调电压为400 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962R9863901VPA的宽度为：7.62 mm。

5962R9863901VPA的相关尺寸：

5962R9863901VPA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8

5962R9863901VPA放大器其他信息：

5962R9863901VPA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。5962R9863901VPA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。5962R9863901VPA不符合Rohs认证。

其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962R9863901VPA的封装代码是：DIP。5962R9863901VPA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。5962R9863901VPA封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

5962R9863901VPA规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Analog Devices Inc
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3
针数	8
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.125 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.125 µA
标称共模抑制比	110 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电压	400 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
低-失调	YES
负供电电压上限	-22 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	+-15 V
认证状态	Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535
座面最大高度	5.08 mm
最小摆率	0.08 V/us
最大压摆率	4 mA
供电电压上限	22 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
技术	BIPOLAR
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最小电压增益	100000
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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REVISIONS

LTR

DESCRIPTION

Make change to 1.5 and add subgroup 4 to device class V and group E section

as specified in table IIA. – ro

Drawing updated to reflect current requirements. – gt

Add enhanced low dose rate effects (ELDRS) paragraph to 1.5 and

table I. - rrp

Add the words “condition A” after method 1019 as specified under 4.4.4.1.

Delete Accelerated aging test, paragraph 4.4.4.1.1. - ro

Make change to the V

test subgroups by deleting 4,5,6 and substituting 1,2,3

under Table I. Make change to the

V

/t test subgroups by deleting 5,6 and

substituting 2,3 under Table I. Make change to the all CMRR, PSRR, and A

test subgroups by deleting 4,5,6 and substituting 1,2,3 under Table I.

Delete subgroups 5 and 6 from Tabel IIA. Add subgroups 5 and 6 to

paragraph 4.4.1b. Add two footnotes under Table IIB. Delete paragraph

4.4.4.2. - ro

11-03-28

C. SAFFLE

DATE (YR-MO-DA)

99-07-30

03-02-20

05-10-28

07-06-12

APPROVED

R. MONNIN

R. HEBER

REV

SHEET

REV

SHEET

REV STATUS

OF SHEETS

PMIC N/A

REV

SHEET

PREPARED BY

RICK OFFICER

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

THIS DRAWING IS AVAILABLE

FOR USE BY ALL

DEPARTMENTS

AND AGENCIES OF THE

DEPARTMENT OF DEFENSE

CHECKED BY

RAJESH PITHADIA

APPROVED BY

RAYMOND MONNIN

DRAWING APPROVAL DATE

98-10-08

REVISION LEVEL

DLA LAND AND MARITIME

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

http://www.dscc.dla.mil

MICROCIRCUIT, LINEAR, RADIATION

HARDENED, ULTRA-LOW OFFSET VOLTAGE

OPERATIONAL AMPLIFIER, MONOLITHIC

SILICON

SIZE

CAGE CODE

AMSC N/A

67268

SHEET

1 OF 12

5962-98639

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E071-11

2. APPLICABLE DOCUMENTS

2.1 Government specification, standards, and handbooks. The following specification, standards, and handbooks form a part

of this drawing to the extent specified herein. Unless otherwise specified, the issues of these documents are those cited in the

solicitation or contract.

DEPARTMENT OF DEFENSE SPECIFICATION

MIL-PRF-38535 - Integrated Circuits, Manufacturing, General Specification for.

DEPARTMENT OF DEFENSE STANDARDS

MIL-STD-883 -

MIL-STD-1835 -

Test Method Standard Microcircuits.

Interface Standard Electronic Component Case Outlines.

DEPARTMENT OF DEFENSE HANDBOOKS

MIL-HDBK-103 -

MIL-HDBK-780 -

List of Standard Microcircuit Drawings.

Standard Microcircuit Drawings.

(Copies of these documents are available online at

https://assist.daps.dla.mil/quicksearch/

or from the Standardization

Document Order Desk, 700 Robbins Avenue, Building 4D, Philadelphia, PA 19111-5094.)

2.2 Order of precedence. In the event of a conflict between the text of this drawing and the references cited herein, the text

of this drawing takes precedence. Nothing in this document, however, supersedes applicable laws and regulations unless a

specific exemption has been obtained.

3. REQUIREMENTS

3.1 Item requirements. The individual item requirements for device classes Q and V shall be in accordance with

MIL-PRF-38535 and as specified herein or as modified in the device manufacturer's Quality Management (QM) plan. The

modification in the QM plan shall not affect the form, fit, or function as described herein. The individual item requirements for

device class M shall be in accordance with MIL-PRF-38535, appendix A for non-JAN class level B devices and as specified

herein.

3.2 Design, construction, and physical dimensions. The design, construction, and physical dimensions shall be as specified

in MIL-PRF-38535 and herein for device classes Q and V or MIL-PRF-38535, appendix A and herein for device class M.

3.2.1 Case outlines. The case outlines shall be in accordance with 1.2.4 herein.

3.2.2 Terminal connections. The terminal connections shall be as specified on figure 1.

3.2.3 Radiation exposure circuit. The radiation exposure circuit shall be as specified on figure 2.

3.3 Electrical performance characteristics and postirradiation parameter limits. Unless otherwise specified herein, the

electrical performance characteristics and postirradiation parameter limits are as specified in table I and shall apply over the full

ambient operating temperature range.

3.4 Electrical test requirements. The electrical test requirements shall be the subgroups specified in table IIA. The electrical

tests for each subgroup are defined in table I.

3.5 Marking. The part shall be marked with the PIN listed in 1.2 herein. In addition, the manufacturer's PIN may also be

marked. For packages where marking of the entire SMD PIN is not feasible due to space limitations, the manufacturer has the

option of not marking the "5962-" on the device. For RHA product using this option, the RHA designator shall still be marked.

Marking for device classes Q and V shall be in accordance with MIL-PRF-38535. Marking for device class M shall be in

accordance with MIL-PRF-38535, appendix A.

STANDARD

MICROCIRCUIT DRAWING

DLA LAND AND MARITIME

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

DSCC FORM 2234

APR 97

SIZE

REVISION LEVEL

5962-98639

SHEET

5962R9863901VPA相似产品对比

	5962R9863901VPA	5962R9863901VHA	JM38510/13502SPA	JM38510/13501SPA	JM38510/13501SGA	JM38510/13502BPA
描述	Aerospace Ultra Low Offset Voltage Op Amp	Aerospace Ultra Low Offset Voltage Op Amp	Aerospace Ultra Low Offset Voltage Op Amp	Aerospace Ultra Low Offset Voltage Op Amp	Aerospace Ultra Low Offset Voltage Op Amp	Aerospace Ultra Low Offset Voltage Op Amp; No of Pins: 8; Temperature Range: MILITARY; Container: 48/Tube
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DFP	DIP	DIP	TO-99	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3	DFP, FL10,.3	0.250 X 0.375 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8	0.250 X 0.375 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8	METAL CAN, TO-99, 8 PIN	0.405 X 0.310 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-8
针数	8	10	8	8	8	8
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.125 µA	0.125 µA	0.006 µA	0.004 µA	0.004 µA	0.006 µA
标称共模抑制比	110 dB	110 dB	106 dB	106 dB	106 dB	106 dB
最大输入失调电压	400 µV	400 µV	200 µV	60 µV	60 µV	200 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8	R-GDFP-F10	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	O-MBCY-W8	R-GDIP-T8
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	10	8	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	METAL	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DFP	DIP	DIP	TO-99	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE	CYLINDRICAL	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	220	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT APPLICABLE
认证状态	Qualified	Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	4 mA	4 mA	5 mA	5 mA	5 mA	4 mA
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO	NO	NO
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	WIRE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT APPLICABLE
Brand Name	Analog Devices Inc	Analog Devices Inc	Analog Devices Inc	Analog Devices Inc	Analog Devices Inc	-
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	-	e0
座面最大高度	5.08 mm	-	5.08 mm	5.08 mm	-	5.08 mm
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	TIN LEAD
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	-	2.54 mm
宽度	7.62 mm	-	7.62 mm	7.62 mm	-	7.62 mm
Source Url Status Check Date	-	-	2013-05-01 14:56:53.86	2013-05-01 14:56:53.838	2013-05-01 14:56:53.829	2013-05-01 14:56:53.845
厂商名称	-	-	ADI(亚德诺半导体)	ADI(亚德诺半导体)	ADI(亚德诺半导体)	ADI(亚德诺半导体)

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