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IRFK4H450

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4-Element, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共1页
制造商Thomson Consumer Electronics
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IRFK4H450概述

Power Field-Effect Transistor, 4-Element, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFK4H450规格参数

参数名称属性值
厂商名称Thomson Consumer Electronics
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大漏极电流 (Abs) (ID)44 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)500 W
Base Number Matches1
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