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2N3638

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小106KB,共1页
制造商Semiconductor Technology Inc
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2N3638概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

2N3638规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

2N3638相似产品对比

2N3638 2N5447
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 TO-92 BCY
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 30 60
JEDEC-95代码 TO-92 TO-18
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0
端子数量 3 3
最高工作温度 125 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.62 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches 1 1
并口LCD2402 显示
void LCD_GpioInit(void){SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_GPIOD);// RS RW EN D0GPIODirModeSet(GPIO_PORTD_BASE , GPIO_PIN_7|GPIO_PIN_6|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_4,GPIO_DIR_MODE_OUT);GPIOPadConfigSet(GPIO_...
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