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TC551001BFI-85V

产品描述IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 200 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM
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文件大小470KB,共16页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC551001BFI-85V概述

IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 200 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM

TC551001BFI-85V规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1443554769
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最长访问时间200 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.6 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.8 mm
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.7 mm
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