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APT8014JFLLE3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小259KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT8014JFLLE3概述

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4

APT8014JFLLE3规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Codecompliant
其他特性UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas)3200 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (ID)42 A
最大漏源导通电阻0.16 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)168 A
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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