SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
| 包装说明 | DIP, DIP32,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| 其他特性 | POWER-DOWN |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-T32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0002 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| MH25708TNA-85L | 106RN120P-6A6-18.0 | MH25708TNA-15H | MH25708TNA-10H | MH25708TNA-12H | MH25708TNA-85H | BD90610HFP-TR | MH25708TNA-15L | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS | D Type Connector, 120 Contact(s), Male, Crimp Terminal, Plug | SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS | SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS | SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS | SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS | 1ch Step-Down Switching Regulator | SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) | - | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) | - | Mitsubishi(日本三菱) |
| 包装说明 | DIP, DIP32,.6 | - | DIP, DIP32,.6 | DIP, DIP32,.6 | DIP, DIP32,.6 | DIP, DIP32,.6 | - | DIP, DIP32,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | - | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | - | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 85 ns | - | 150 ns | 100 ns | 120 ns | 85 ns | - | 150 ns |
| 其他特性 | POWER-DOWN | POLARIZED | POWER-DOWN | POWER-DOWN | POWER-DOWN | POWER-DOWN | - | POWER-DOWN |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | - | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-T32 | - | R-XDMA-T32 | R-XDMA-T32 | R-XDMA-T32 | R-XDMA-T32 | - | R-XDMA-T32 |
| JESD-609代码 | e0 | e4 | e0 | e0 | e0 | e0 | - | e0 |
| 内存密度 | 2097152 bit | - | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | - | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | - | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | - | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 | 8 | 8 | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端口数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 32 | - | 32 | 32 | 32 | 32 | - | 32 |
| 字数 | 262144 words | - | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | - | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | - | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | - | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C |
| 组织 | 256KX8 | - | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | - | 256KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 可输出 | YES | - | YES | YES | YES | YES | - | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP | - | DIP | DIP | DIP | DIP | - | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 | - | DIP32,.6 | DIP32,.6 | DIP32,.6 | DIP32,.6 | - | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0002 A | - | 0.00008 A | 0.00008 A | 0.00008 A | 0.00008 A | - | 0.0002 A |
| 最小待机电流 | 2 V | - | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V | - | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.08 mA | - | 0.08 mA | 0.08 mA | 0.08 mA | 0.08 mA | - | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO | NO | NO | NO | - | NO |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | - | - |
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