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3DSR32M32VS8501IS-17

产品描述Standard SRAM, 1MX32, 17ns, CMOS, PDSO68, SOP-68
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制造商3D PLUS
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3DSR32M32VS8501IS-17概述

Standard SRAM, 1MX32, 17ns, CMOS, PDSO68, SOP-68

3DSR32M32VS8501IS-17规格参数

参数名称属性值
Objectid8323315843
包装说明SOP-68
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间17 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G68
长度29.6 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量68
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
座面最大高度12.15 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.95 mm

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M
E M O R Y M O D U L E
S R a m 1 M x 3 2 -S O P
S ta tic R a m
M O D U L E
3 D S R 3 2 M 3 2 V S 8 5 0 1
3 2 M b it S R a m
o r g a n iz e d a s 1 M x 3 2 , b a s e d o n 2 5 6 K x 1 6
P in A s s ig n m e n t (T o p V ie w )
S O P 6 8 - ( P itc h : 0 .8 0 m m )
F e a tu re s
-
-
-
F a s t A c c e s s T im e : 1 2 , 1 5 , o r 1 7 n s .
S in g le + 3 . 3 V ± 3 . 0 V p o w e r s u p p ly .
P o w e r D is s ip a tio n :
- S ta n d b y
4 0 m A
- O p e r a t in g
2 9 0 m A (M a x .)
T T L C o m p a tib le In p u t a n d O u tp u ts .
F u lly S t a t ic O p e r a t io n
- N o c lo c k o r R e fr e s h r e q u ir e d .
T h re e S ta te O u tp u ts .
C e n te r P o w e r /G r o u n d P in C o n f ig u r a t io n .
D ie c o n t r o l : # C S 0 ~ # C S 7 c h ip s e le c t .
A v a ila b le T e m p e r a t u r e R a n g e :
0 ° C to + 7 0 ° C
-4 0 ° C to + 8 5 ° C
-5 5 ° C to + 1 2 5 ° C
A v a ila b le w it h s c r e e n in g o p t io n f o r h ig h r e lia b ility a p p lic a t io n
(S p a c e , e tc ...).
-
-
-
-
-
-
-
1
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# C
I/O
I/O
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# C
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A
A
A
A
A
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I/O
I/O
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V S
I/O
I/O
I/O
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A
A
A
A
A
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I/O
I/O
I/O
I/O
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E
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N C
# C S 6
I/O 2 7
I/O 2 6
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A 1 0
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# C S 2
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I/O 1
I/O 1
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# U B
# O E
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I/O 3
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# C S
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G e n e r a l d e s c r ip tio n
T h e
3 D
S R 3 2 M 3 2 V S 8 5 0 1
is
a
3 3 ,5 5 4 ,4 3 2
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S ta tic
F U N C T IO N A L B L O C K D IA G R A M
R a n d o m
o f 3 2 b its .
A c c e s s M e m o r y o r g a n iz e d a s 4 b a n k s o f 2 6 2 ,1 4 4 w o r d s
1
# C S 0
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T h e 3 D S R 3 2 M 3 2 V S 8 5 0 1
u s e s 3 2
c o m m o n
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I/O 0 -1 5
3
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# C S 3
o u t p u t lin e s a n d h a s a n o u t p u t e n a b le p in w h ic h o p e r a te s f a s t e r
t h a n a d d r e s s a c c e s s t im e a t r e a d c y c le . A ls o it a llo w s lo w e r a n d
u p p e r b y te a c c e s s
m a n u fa c tu re d
t e c h n o lo g y
p a r t ic u la r it y
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c o n tro l (# U B , # L B ). T h e
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s p e e d c ir c u it a p p lic a t io n s . I t is
in h ig h r e lia b ilit y , h ig h
a p p lic a t io n s s u c h a s s o lid
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6 8 p in s S O P .
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# C S 7
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p e r fo r m a n c e a n d h ig h d e n s ity s y s te m
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3 D
S R 3 2 M 3 2 V S 8 5 0 1
is
2 5 6 K x 1 6
s ta te m a s s r e c o r d e r , s e r v e r o r w o r s ta tio n .
p a c k a g e d
( A ll o th e r s ig n a ls a r e c o m m o n to th e
S R a m
M e m o r y M o d u le
e ig h t m e m o r ie s )
1 2 4
!
D
P L U S S .A . r e s e r v e s th e r ig h t to c h a n g e o r c a n c e l p r o d u c ts o r s p e c ific a tio n s w ith o u t n o tic e
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D F P -0 5 0 1 -R E V : 2 - A U G . 2 0 1 2
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