SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),11A I(T),TO-203AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 105348321 |
| 包装说明 | PRESS FIT, O-MUPF-D2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| YTEOL | 0 |
| 标称电路换相断开时间 | 40 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 80 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大漏电流 | 2.5 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 350 A |
| 最大通态电压 | 1.8 V |
| 最大通态电流 | 11000 A |
| 最高工作温度 | 100 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 200 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型 | SCR |
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