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EDI84256CS35NB

产品描述Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, CDSO28,
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文件大小496KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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EDI84256CS35NB概述

Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, CDSO28,

EDI84256CS35NB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1902867713
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
YTEOL0
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDSO-J28
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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