Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, VFBGA-54
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | VFBGA, BGA54,6X9,30 |
针数 | 54 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 85 ns |
其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE POSSIBLE |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 8 mm |
内存密度 | 33554432 bit |
内存集成电路类型 | PSEUDO STATIC RAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 54 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA54,6X9,30 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.8,2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm |
最大待机电流 | 0.00011 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 6 mm |
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