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APT150GN120JDQ4

产品描述igbt 1200v 215a 625w sot227
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小196KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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APT150GN120JDQ4在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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APT150GN120JDQ4概述

igbt 1200v 215a 625w sot227

APT150GN120JDQ4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码ISOTOP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数4
制造商包装代码ISOTOP
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)215 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压30 V
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)955 ns
标称接通时间 (ton)120 ns
VCEsat-Max2.1 V
Base Number Matches1
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