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EN29LV160CB-70NIP

产品描述Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WFBGA-48
产品类别存储    存储   
文件大小513KB,共46页
制造商Eon
官网地址http://www.essi.com.tw/
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EN29LV160CB-70NIP概述

Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WFBGA-48

EN29LV160CB-70NIP规格参数

参数名称属性值
Objectid1288048158
包装说明VFBGA,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性BOTTOM BOOT SECTOR
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
数据保留时间-最小值20
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PBGA-B48
长度6 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,31
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
就绪/忙碌YES
座面最大高度0.73 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.016 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度4 mm
最长写入周期时间 (tWC)0.00007 ms

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