Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | SFM |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 9.2 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 60 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches | 1 |
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