电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

APTM120H57FTG

产品描述mosfet mod full bridge 1200v sp4
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

APTM120H57FTG概述

mosfet mod full bridge 1200v sp4

APTM120H57FTG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
针数14
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)3000 mJ
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)17 A
最大漏极电流 (ID)17 A
最大漏源导通电阻0.648 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X14
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量14
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)390 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)68 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 215  443  771  990  1212 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved