2014-01-31
Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm)
Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm)
Version 1.2
SFH 4650
Features:
•
•
•
•
•
•
High Power Infrared LED (60 mW)
Short switching times
Narrow halfangle (± 15°)
Low profile component
Taping as Toplooker
Also available as Sidelooker (SFH4655)
•
•
•
•
•
•
Besondere Merkmale:
Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung (60 mW)
Kurze Schaltzeiten
Enger Abstrahlwinkel (± 15°)
Geringe Bauhöhe
Gurtung als Toplooker
Auch als Sidelooker erhältlich (SFH4655)
Applications
•
•
•
•
Infrared Illumination for cameras
IR data transmission
Automotive technology
Remote control
•
•
•
•
Anwendungen
Infrarotbeleuchtung für Kameras
IR Datenübertragung
Automobiltechnik
Gerätefernsteuerung
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
2014-01-31
1
Version 1.2
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 4650
Note:
Anm.:
SFH 4650
Ordering Code
Bestellnummer
80 (≥ 25)
Q65110A1572
Measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
= 300
μs,
D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
ESD withstand voltage
ESD Festigkeit
(acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM)
Thermal resistance junction - ambient
1)
page 13
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1)
Seite 13
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 100
5
100
1
Unit
Einheit
°C
V
mA
A
P
tot
V
ESD
180
2
mW
kV
R
thJA
340
K/W
2)
page 13
Thermal resistance junction - soldering point
R
thJS
180
K/W
Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle
2)
Seite 13
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2
Version 1.2
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge der Strahlung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50
Ω)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100
μs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
(typ)
Symbol
Symbol
λ
peak
Values
Werte
860
SFH 4650
Unit
Einheit
nm
(typ)
λ
centroid
850
nm
(typ)
Δλ
30
nm
(typ)
(typ)
(typ)
(typ)
ϕ
A
LxW
t
r
, t
f
± 15
0.09
0.3 x 0.3
12
°
mm
2
mm x
mm
ns
(typ (max)) V
F
1.5 (≤ 1.8)
V
(typ (max)) V
F
2.4 (≤ 3)
V
(typ (max)) I
R
not designed for µA
reverse operation
60
mW
(typ)
Φ
e
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Version 1.2
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
SFH 4650-T
SFH 4650-U
SFH 4650-V
Note:
Anm.:
SFH 4650
Symbol
Symbol
(typ)
TC
I
Values
Werte
-0.5
Unit
Einheit
%/K
(typ)
TC
V
-0.7
mV / K
(typ)
TC
λ
0.3
nm / K
Max Radiant Intensity
Max Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, max
[mW / sr]
50
80
125
Typ Radiant Intensity
Typ Strahlstärke
I
F
= 1 A, t
p
= 25
μs
I
e, typ
[mW / sr]
300
450
750
25
40
63
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Only one group in one packing unit (variation lower 2:1).
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
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Version 1.2
Relative Spectral Emission
3)
page 13
Relative spektrale Emission
3)
Seite 13
I
rel
= f(λ), T
A
= 25°C
100
OHF04132
SFH 4650
Radiant Intensity
3)
page 13
Strahlstärke
3)
Seite 13
I
e
/ I
e
(100 mA) = f(I
F
), single pulse, t
p
= 25 µs,
T
A
= 25°C
10
1
OHL01715
I
rel
%
80
I
e
I
e (100 mA)
10
0
60
5
10
-1
40
5
20
10
-2
5
0
700
750
800
850
nm 950
λ
10
-3 0
10
5 10
1
5 10
2
mA 10
3
I
F
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5
京公网安备 11010802033920号
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