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APTGT400U120D4G

产品描述igbt 1200v 600a 2250w D4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小641KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTGT400U120D4G在线购买

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APTGT400U120D4G概述

igbt 1200v 600a 2250w D4

APTGT400U120D4G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)600 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X4
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1785 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)830 ns
标称接通时间 (ton)400 ns
VCEsat-Max2.1 V
Base Number Matches1
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