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BC860A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小162KB,共3页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
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BC860A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

BC860A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)125
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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Continental Device India Limited
An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package
BC859
BC860
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
P–N–P transistors
Marking
BC859 = 4D
BC859A = 4A
BC859B = 4B
BC859C = 4C
BC860 = 4H
BC860A = 4E
BC860B = 4F
BC860C = 4G
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN m
m
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
BC859
BC860
Collector–emitter voltage (+V
BE
= 1 V)
Collector–emitter voltage (open base)
Collector current (peak value)
Total power dissipation up to T
amb
= 60 °C
Junction temperature
Small–signal current gain
–I
C
= 2 mA; –V
CE
= 5 V; f = 1 kHz
Transition frequency
–I
C:
10 mA; –V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
Noise figure at R
s
= 2 kΩ
–I
C
= 200
µ
A; –V
CE
= 5 V
f = 30 Hz to 15 kHz
f = 1 KHz; B = 200 Hz
–V
CEX
–V
CE0
–I
CM
P
tot
T
j
h
fe
f
T
max.
max.
max.
max.
max.
>
<
>
30
30
200
250
150
125
900
100
50
45
200
250
150
125
900
100
V
V
mA
mW
°C
MHz
F
F
typ.
<
<
1,2
4
4
1
3
4
dB
dB
dB
Continental Device India Limited
Data Sheet
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BC860A相似产品对比

BC860A BC859A BC860C
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 30 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 125 125 420
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches 1 1 -

 
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