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BSS214NW L6327

产品描述mosfet N-CH 20v 1.5A sot-323
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小185KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准  
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BSS214NW L6327概述

mosfet N-CH 20v 1.5A sot-323

BSS214NW L6327相似产品对比

BSS214NW L6327 BSS214NW BSS214NWH6327
描述 mosfet N-CH 20v 1.5A sot-323 OptiMOS鈩? Small-Signal-Transistor 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 栅源极阈值电压:1.2V @ 3.7uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code - compliant compliant
其他特性 - AVALANCHE RATED LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) - 1.5 A 1.5 A
最大漏源导通电阻 - 0.14 Ω 0.14 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 0.5 W 0.5 W
表面贴装 - YES YES
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1
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