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TIP31C

产品描述npn silicon power transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共6页
制造商Power Innovations Limited
官网地址http://www.power-innovations.com
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TIP31C概述

npn silicon power transistors

TIP31C规格参数

参数名称属性值
厂商名称Power Innovations Limited
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

TIP31C相似产品对比

TIP31C
描述 npn silicon power transistors
厂商名称 Power Innovations Limited
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A
集电极-发射极最大电压 100 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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