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TZM5261B

产品描述silicon Z-diodes
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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TZM5261B概述

silicon Z-diodes

TZM5261B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-213AA
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压47 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN SILVER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流2.7 mA

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TZM5221B...TZM5267B
Vishay Telefunken
Silicon Z–Diodes
Features
D
Very sharp reverse characteristic
D
Very high stability
D
Electrical data identical with the devices
1N5221B...1N5267B
D
Low reverse current level
D
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
Voltage stabilization
94 9371
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
<300K/W, T
amb
=25
°
C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Test Conditions
Junction ambient on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
Document Number 85609
Rev. 2, 01-Apr-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
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