N-channel jfet monolithic dual
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W7 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
FET 技术 | JUNCTION |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JEDEC-95代码 | TO-78 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W7 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 7 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
U443 | U444 | XU444 | XU443 | |
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描述 | N-channel jfet monolithic dual | N-channel jfet monolithic dual | N-channel jfet monolithic dual | N-channel jfet monolithic dual |
Reach Compliance Code | compliant | - | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
FET 技术 | JUNCTION | - | JUNCTION | JUNCTION |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | - | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W7 | - | X-XUUC-N | X-XUUC-N |
元件数量 | 2 | - | 2 | 2 |
工作模式 | DEPLETION MODE | - | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形式 | CYLINDRICAL | - | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W | - | 0.35 W | 0.35 W |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | - | YES | YES |
端子形式 | WIRE | - | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM | - | UPPER | UPPER |
晶体管应用 | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON |
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