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US1G

产品描述sma ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共12页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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US1G概述

sma ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers

US1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Codenot_compliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn80Pb20)

US1G相似产品对比

US1G US1B US1J US1A
描述 sma ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers sma ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers sma ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers sma ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant not_compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1.7 V 1 V
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 400 V 100 V 600 V 50 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20)
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) - Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)

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