improved quad spst cmos analog switches
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | QFN |
| 包装说明 | HVQCCN, LCC16,.16SQ,25 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 4 mm |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 正常位置 | NC |
| 信道数量 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 16 |
| 标称断态隔离度 | 90 dB |
| 最大通态电阻 (Ron) | 80 Ω |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC16,.16SQ,25 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 12/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 最长断开时间 | 200 ns |
| 最长接通时间 | 300 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 4 mm |
| DG444BDN | DG445BDN | |
|---|---|---|
| 描述 | improved quad spst cmos analog switches | improved quad spst cmos analog switches |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | QFN | QFN |
| 包装说明 | HVQCCN, LCC16,.16SQ,25 | HVQCCN, LCC16,.16SQ,25 |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST | SPST |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N16 | S-XQCC-N16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 4 mm | 4 mm |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 正常位置 | NC | NO |
| 信道数量 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 标称断态隔离度 | 90 dB | 90 dB |
| 最大通态电阻 (Ron) | 80 Ω | 80 Ω |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVQCCN | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC16,.16SQ,25 | LCC16,.16SQ,25 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 |
| 电源 | 12/+-15 V | 12/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm | 1 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 最长断开时间 | 200 ns | 200 ns |
| 最长接通时间 | 300 ns | 300 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 宽度 | 4 mm | 4 mm |
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