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FQP5N20LL99Z

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小648KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FQP5N20LL99Z概述

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FQP5N20LL99Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)60 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻1.25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)4 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FQP5N20LL99Z相似产品对比

FQP5N20LL99Z FQP5N20LD84Z FQP5N20LS62Z
描述 Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 60 mJ 60 mJ 60 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 1 A 1 A 1 A
最大漏源导通电阻 1.25 Ω 1.25 Ω 1.25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 1
端子数量 4 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 4 A 4 A 4 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
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