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8181MNVAB48FWN00

产品描述CAP,AL2O3,180UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL
产品类别无源元件    电容器   
文件大小113KB,共4页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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8181MNVAB48FWN00概述

CAP,AL2O3,180UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL

8181MNVAB48FWN00规格参数

参数名称属性值
Objectid1205222614
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL6.97
电容180 µF
电容器类型ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
直径12.5 mm
介电材料ALUMINUM (WET)
长度48 mm
负容差10%
端子数量2
最高工作温度55 °C
最低工作温度-20 °C
封装形式Radial
包装方法Bulk
极性POLARIZED
正容差20%
额定(直流)电压(URdc)330 V
端子节距5 mm

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 µ ½ â È Æ ÷
Á ç µ ç Ý
ALUMINUM  ELECTROLYTIC  CAPACITOR(CD17  FW)
F W 
特 性 
    F E A T U R E 
½积小、½损耗角、½漏电流
S½½½½½½ ½½½½ ,L½½ ½½½½½½½½½½½ ½½½½½½ ,L½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½  
闪光灯用引线式产品
S½½½½½ ½½½ ½½½½½ ½½½½½ ½½½½½½½½½½½½ ½½½½ ½½½½ ½½½½ ½½½½½½½½
特性表 SPECIFICATIONS 
 项目I½½½ 
 ½用温度范围
O½½½½½½½½ T½½½½½½½½½½ R½½½½ 
额定工½电压范围
R½½½½ W½½½½½  R½½½½ 
标称静电容量范围
N½½½½½½ C½½½½½ ½½½½½ R½½½½ 
静电容量允许偏差
C½½½½½½½½½½ T½½½½½½½½ 
漏电流
L½½½½½½ C½½½½½½ 
损耗角正切值(½½½δ) 
D½½½½½½½½½½ F½½½½½
温度特性
T½½½½½½½½½½ S½½½½½½½½
主要特性P½½½½½½½½½½ C½½½½½½½½½½½½½½ 
-20℃  ̄+55℃  
330V.DC  
80 
μF ̄300μF  
 
-10% ̄+20%  
 ½加额定电压5分钟:I≤1½C (μA) 20℃
A½½½½ ½½½½½½½½½½½ ½½ ½½½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½ ½½½ 5 ½½½½½½½ I≤1½C (μA) 
≤0.06       (20℃,120H½)  
 阻抗比(120H½) I½½½½½½½½ R½½½½:      Z-20℃ /Z+20℃≤7  
 +5
℃½35℃,加额定电压,充放电间隔30秒,共5000次。放电负½½:0.7  ̄1.0Ω的氙气管。
C½½½½½ ½½½ ½½½½½½½½½ ½½ ½½½½½ V½½½½½½ ½½ 5 ̄35℃ ½½ ½½½½½ 30 ½½½½½½½ ½½½ 5000 ½½½½½ V½½ X½ ½½½½½ 
½½½½ ½½½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½½½½½½ ½½ 0.7 ̄1.0Ω
 充放电特性
C½½½½½ ½½½ D½½½½½½½½
 初始值的±15%以内
W½½½½½ ±15% ½½ ½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½½ ½½½½½ 
 不大于初期规定值的150%
L½½½ ½½½½ 150% ½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½
不大于初期规定值的150% 
L½½½ ½½½½ 150%  ½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½
静电容量变化率:
C½½½½½½½½½½ C½½½½½: 
漏电流:
L½½½½½½ ½½½½½½½: 
损耗角正切值:
½½½δ
 在+55℃环境中无负荷放½500小时后:A½½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½½½½ ½½½½½ ½½ ½½½½ ½½½ 500 ½½½½½ ½½ +55℃ 
静电容量变化
C½½½½½½½½½½ C½½½½½
高温贮存特性
S½½½½ L½½½ 
漏电流
L½½½½½½ ½½½½½½½
损耗角正切值
½½½δ
 不大于初期规定值的300%
L½½½ ½½½½ 300% ½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½
不大于初期规定值的150% 
L½½½ ½½½½ 150%  ½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½
 初始值的±10%以内
W½½½½½ ±10% ½½ ½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½½ ½½½½½ 
请教3个问题:
1.s12的flash擦写一定要把程序copy到ram中么?哪些型号的擦写一定要copy到flash中呢?2.INITRG,INITRM,INITEE 寄存器的配置要在那里做呢?start12中么?一定要在这里做么?3.“上电复位后,EEPR ......
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