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CZTA42

产品描述surface mount complementary high voltage silicon transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CZTA42概述

surface mount complementary high voltage silicon transistor

CZTA42规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

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CZTA42 NPN
CZTA92 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTA42,
CZTA92 types are complementary surface
mount epoxy molded silicon planar epitaxial
transistors designed for high voltage
applications.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
62.5
°C
°C/W
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
CZTA42
300
300
6.0
500
2.0
CZTA92
300
300
5.0
UNITS
V
V
V
mA
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CZTA42
SYMBOL
ICBO
IEBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
TEST CONDITIONS
VCB=200V
VBE=6.0V
VBE=3.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=100µA
IC=20mA, IB=2.0mA
IC=20mA, IB=2.0mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V,
VCE=20V,
IC=30mA
IC=10mA, f=100MHz
300
300
6.0
0.5
0.9
25
40
40
50
3.0
25
40
25
50
6.0
MHz
pF
MIN
MAX
100
100
-
300
300
5.0
0.5
0.9
CZTA92
MIN
MAX
250
-
100
UNITS
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz
R2 (17-June 2004)

CZTA42相似产品对比

CZTA42 CZTA92
描述 surface mount complementary high voltage silicon transistor surface mount complementary high voltage silicon transistor
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 PLASTIC PACKAGE-4 PLASTIC PACKAGE-4
针数 4 4
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 25
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz
Base Number Matches 1 1
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