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CZT5401: 产品描述pnp silicon transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小92KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CZT5401概述

pnp silicon transistor

CZT5401规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	PLASTIC PACKAGE-4
针数	4
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.6 A
集电极-发射极最大电压	150 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

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CZT5401

PNP SILICON TRANSISTOR

Central

DESCRIPTION:

Semiconductor Corp.

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401

type is an PNP silicon transistor manufactured

by the epitaxial planar process, epoxy molded

in a surface mount package, designed for high

voltage amplifier applications.

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS

(TA=25

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ,Tstg

UNITS

C/W

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

160

150

5.0

600

2.0

-65 to +150

62.5

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(TA=25

C unless otherwise noted)

SYMBOL

ICBO

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

hFE

TEST CONDITIONS

VCB=100V

VCB=100V, TA=150

VEB=3.0V

IC=100µA

IC=1.0mA

IE=10µA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

VCE=5.0V, IC=1.0mA

VCE=5.0V, IC=10mA

VCE=5.0V, IC=50mA

MIN

MAX

UNITS

160

150

5.0

0.2

0.5

1.0

240

314

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