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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CZT4033
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CZT4033

产品描述双极电源 pnp 2.0W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小524KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CZT4033概述

双极电源 pnp 2.0W

CZT4033规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CZT4033
SURFACE MOUNT
PNP SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT4033 type is
a PNP silicon transistor manufactured by the epitaxial
planar process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for high current general purpose
amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
80
80
5.0
1.0
1.5
2.0
-65 to +150
62.5
UNITS
V
V
V
A
A
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
VCB=60V
VEB=5.0V
IC=10µA
IC=10mA
IE=10µA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
IC=0.1mA
IC=100mA
MAX
50
10
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
80
80
5.0
0.15
0.50
0.90
1.10
75
100
70
25
100
300
VCE=5.0V, IC=500mA
VCE=5.0V, IC=1.0A
VCE=10V, IC=50mA, f=1.0MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
20
110
MHz
pF
pF
R5 (1-March 2010)

CZT4033相似产品对比

CZT4033 CZT4033LEADFREE
描述 双极电源 pnp 2.0W Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 PLASTIC PACKAGE-4 PLASTIC PACKAGE-4
针数 4 4
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN (315)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz

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