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CZT32C

产品描述2.0W complementary silicon power transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CZT32C概述

2.0W complementary silicon power transistor

CZT32C规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz

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NE
W
CZT31C NPN
CZT32C PNP
Central
DESCRIPTION:
TM
Semiconductor Corp.
2.0W COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTOR
POWER
TM
223
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT31C
and CZT32C types are surface mount epoxy
molded complementary silicon transistors
manufactured by the epitaxial base process,
designed for surface mounted power amplifier
applications up to 3.0 amps.
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25
o
C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
100
100
5.0
3.0
6.0
1.0
2.0
-65 to +150
62.5
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICES
ICEO
IEBO
BVCEO
* VCE(SAT)
* VBE(ON)
* hFE
* hFE
fT
* Pulsed, 2%D.C.
TEST CONDITIONS
VCE=100V
VCE=60V
VEB=5.0V
IC=30mA
IC=3.0A, IB=375mA
VCE=4.0V, IC=3.0A
VCE=4.0V, IC=1.0A
VCE=4.0V, IC=3.0A
VCE=10V, IC=500mA, f=1.0MHz
MIN
MAX
200
300
1.0
1.2
1.8
25
10
3.0
100
MHz
UNITS
µA
µA
mA
V
V
V
100
294

CZT32C相似产品对比

CZT32C CZT31C
描述 2.0W complementary silicon power transistor 2.0W complementary silicon power transistor
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 PLASTIC PACKAGE-4 PLASTIC PACKAGE-4
针数 4 4
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 3 MHz 3 MHz
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