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CZT122

产品描述surface mount npn silicon power darlington transistor
文件大小34KB,共1页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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CZT122概述

surface mount npn silicon power darlington transistor

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SMD Type
Transistors
IC
Surface Mount NPN Silicon Power Darlington Transistor
KZT122
(CZT122)
SOT-223
Unit: mm
+0.2
3.50
-0.2
Features
High current (max. 5A).
Low voltage (max. 100V).
+0.2
6.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1 Base
2 Collector
1
2
2.9
4.6
3
+0.1
0.70
-0.1
3 Emitter
4 Collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
power dissipation
Thermal Resistance.Junction-to-Ambient
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
D
R
JA
Rating
100
100
5
5
8
120
2
62.5
150
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
A
mA
W
/W
T
j
T
stg
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter
Collector to emitter breakdown voltage
Collctor cutoff current
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current gain
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Output capacitance
Transition frequency
Symbol
V
CEO
I
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
=30mA
V
CE
=50V
V
CB
= 100 V
V
EB
= 5.0 V
I
C
= 500 mA; V
CE
=3.0 V
I
C
= 3A; V
CE
= 3.0V
V
CE(sat)
I
C
= 3.0A; I
B
= 12mA
V
BE(sat)
I
C
= 5.0A; I
B
= 20mA
C
ob
f
T
V
CB
= 10 V, I
E
= 0,f=1.0MHz
I
C
= 3A; V
CE
=4V; f = 1.0 MHz
4.0
1000
1000
2.0
4.0
200
V
V
pF
MHz
Testconditons
Min
100
500
200
2.0
Typ
Max
Unit
V
A
A
mA
+0.15
1.65
-0.15
www.kexin.com.cn
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