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JANTXV2N3866UB

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小233KB,共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JANTXV2N3866UB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3

JANTXV2N3866UB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.4 A
基于收集器的最大容量3.5 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDSO-N3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2.9 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/398
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

JANTXV2N3866UB相似产品对比

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描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3
包装说明 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant unknown unknow
最大集电极电流 (IC) 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A
基于收集器的最大容量 3.5 pF 3.5 pF 3.5 pF 3.5 pF 3.5 pF 3.5 pF
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
零件包装代码 SOT SOT SOT SOT SOT -
针数 3 3 3 3 3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
最小直流电流增益 (hFE) 15 15 15 15 - -
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C -
最大功率耗散 (Abs) 2.9 W 2.9 W 2.9 W 2.9 W - -
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Not Qualified -
参考标准 MIL-19500/398 MIL-19500/398 MIL-19500/398 MIL-19500/398 - MIL-19500; 100K Rad(Si)
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
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