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CXK77P18E160GB-42BE

产品描述16Mb LW R-L HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512K x 36 or 1M x 18)
产品类别存储    存储   
文件大小172KB,共25页
制造商SONY(索尼)
官网地址http://www.sony.co.jp
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CXK77P18E160GB-42BE概述

16Mb LW R-L HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512K x 36 or 1M x 18)

CXK77P18E160GB-42BE规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SONY(索尼)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间4 ns
最大时钟频率 (fCLK)238 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度18874368 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织1MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源1.9,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.5 mm
最大待机电流0.25 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.75 mA
最大供电电压 (Vsup)3.47 V
最小供电电压 (Vsup)3.13 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度14 mm
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